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產(chǎn)品詳情
簡單介紹：
RIE-230iP 是一種負(fù)載鎖定 ICP 蝕刻設(shè)備，采用電感耦合等離子體（工業(yè)層壓 Plasma）作為放電形式，旨在高速加工各種材料的超精細(xì)。
詳情介紹：
概述
RIE-230iP 是一種負(fù)載鎖定 ICP 蝕刻設(shè)備，采用電感耦合等離子體（工業(yè)層壓 Plasma）作為放電形式，旨在高速加工各種材料的超精細(xì)。 該器件采用獨特的龍卷風(fēng)線圈電極，可有效產(chǎn)生穩(wěn)定的高密度等離子體，實現(xiàn)高精度各向異性蝕刻，如硅、各種金屬薄膜和化合物半導(dǎo)體。 此外，φ230mm托盤可同時處理多片化合物半導(dǎo)體。
特點
采用龍卷風(fēng)型線圈電極
可以有效地產(chǎn)生穩(wěn)定的高密度等離子體，實現(xiàn)高選擇性比和高精度、均勻性的蝕刻。
低傷害過程是可能的
ICP 的高密度等離子體生成可實現(xiàn)低偏置、低損傷的過程。
溫度控制
ESC 和 He 對舞臺進(jìn)行冷卻，并控制反應(yīng)室側(cè)壁的溫度，從而在穩(wěn)定條件下進(jìn)行蝕刻。
應(yīng)用示例
? 高精度加工化合物半導(dǎo)體，如 GaN、GaAs 和 InP
加工難蝕刻材料，如鐵電和電極材料
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