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產(chǎn)品詳情
簡(jiǎn)單介紹：
PD-200STL 是一種高速等離子CVD設(shè)備，用于通過液體源形成氧化硅 （SiO2） 膜和氮化硅 （SiN） 膜。
詳情介紹：
概述
PD-200STL 是一種高速等離子CVD設(shè)備，用于通過液體源形成氧化硅 （SiO2） 膜和氮化硅 （SiN） 膜。 陰極側(cè)護(hù)套電場(chǎng)產(chǎn)生的離子能量允許在低溫下形成低應(yīng)力厚膜。 該裝置具有負(fù)載鎖室，可實(shí)現(xiàn)出色的可重復(fù)性沉積。
特點(diǎn)
- 良好的薄膜厚度均勻性和穩(wěn)定性
- 高速沉積和應(yīng)力控制
- 低溫沉積（80°C~）
- 階梯覆蓋性優(yōu)異的成膜
- 控制折射率（使用 Ge、P 和 B）
應(yīng)用示例
- SAW 器件的溫度補(bǔ)償膜、鈍化膜
- MEMS掩膜和氧化膜犧牲層
- 三維封裝中TSV（Si貫通通孔）側(cè)壁的絕緣膜
- 光波導(dǎo)芯層、包層形成
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