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        • 產(chǎn)品名稱:SAMCO等離子CVD設(shè)備 PD-2201LC

        • 產(chǎn)品型號:
        • 產(chǎn)品廠商:SAMCO薩姆肯
        • 產(chǎn)品價格:0
        • 折扣價格:0
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        簡單介紹:
        在廣泛的膜質(zhì)量控制 SiN沉積中,應(yīng)力控制范圍從800MPa到壓縮200MPa不等。 此外,通過改變氣體流速比,還可以控制折射率。
        詳情介紹:

        概述

        PD-2201LC 是一種用于生產(chǎn)大氣盒式等離子體的等離子 CVD 設(shè)備,用于形成各種硅基薄膜(SiO+、SiN 等)。 從托盤輸送同時沉積多個小直徑晶圓,到通過單片晶圓處理實現(xiàn)高均勻的沉積,我們可根據(jù)客戶要求提供廣泛的支持。 此外,晶圓單片處理可以更改為真空盒室,無需打開盒式室即可連續(xù)處理。

        特點

        在廣泛的膜質(zhì)量控制
        SiN沉積中,應(yīng)力控制范圍從800MPa到壓縮200MPa不等。 此外,通過改變氣體流速比,還可以控制折射率。

        緊湊的節(jié)省空間的設(shè)備
        電氣系統(tǒng)被組裝在與設(shè)備不同的包裝盒中,使設(shè)備本身更纖薄。 (安裝面積:590mm(W) × 2170mm(D))

        因此,您可以靈活地安裝它,以適應(yīng)您的空間。


        通過托盤同時形成多個晶圓輸送
        小直徑晶圓是可能的。 (φ2“×9張、φ3”×5張、φ4“×3張)

        此外,通過更改托盤,可以輕松更改晶圓尺寸。

        應(yīng)用示例

        可以形成

        氮化硅膜、氧化硅膜和非晶硅膜,形成各種硅基薄膜。


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