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        • 產(chǎn)品名稱:蘇州代理 大冢電子光譜橢偏儀 FE-5000 / 5000S

        • 產(chǎn)品型號(hào):
        • 產(chǎn)品廠商:OTSUKA大塚電子
        • 產(chǎn)品價(jià)格:0
        • 折扣價(jià)格:0
        • 產(chǎn)品文檔:
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        簡單介紹:
        除了可以進(jìn)行高精度薄膜分析的光譜橢偏儀外,我們還通過實(shí)現(xiàn)測量角度的自動(dòng)可變機(jī)構(gòu)來支持所有類型的薄膜。除了傳統(tǒng)的旋轉(zhuǎn)式光子檢測器方法外,還通過提供相位差板的自動(dòng)裝卸機(jī)構(gòu)提高了測量精度。
        詳情介紹:

        產(chǎn)品信息

        特殊長度
        • 可在紫外-可見 (300-800 nm) 波長范圍內(nèi)測量 Ellipso 參數(shù)
        • 納米級(jí)多層薄膜厚度分析成為可能
        • 可以通過400ch以上的多通道光譜快速測量橢圓光譜
        • 支持通過可變反射角測量對(duì)薄膜進(jìn)行詳細(xì)分析
        • 通過創(chuàng)建光學(xué)常數(shù)數(shù)據(jù)庫并添加配方注冊功能,提高了可操作性。

         

        測量項(xiàng)目
        • 橢圓參數(shù) (tanψ, cosΔ) 測量
        • 光學(xué)常數(shù)(n:折射率,k:消光系數(shù))分析
        • 膜厚分析

         

        測量對(duì)象
        • 半導(dǎo)體晶片
          柵氧化薄膜、氮化膜
          SiO 2、Si x O y、SiN、SiON、SiN x、Al 2 O 3、SiN x O y、poly-Si、ZnSe、BPSG、TiN
          的光學(xué)常數(shù)(波長色散)抵抗
        • 化合物半導(dǎo)體
          Al x Ga (1-x)作為多層膜、非晶硅
        • FPD
          取向膜
        • 各種新材料
          DLC(類金剛石碳)、超導(dǎo)用薄膜、磁頭用薄膜
        • 光學(xué)薄膜
          TiO 2 , SiO 2 , 減反射膜


        • g-line (436nm), h-line (405nm), i-line (365nm)等各波長的光刻場n、k評(píng)估
          規(guī)格
          模型 FE-5000S FE-5000
          樣本量 *大 100x100mm *大 200x200mm
          測量方法 旋轉(zhuǎn)光子法*1
          測量膜厚范圍(nd) 0.1nm ~ 1μm
          入射(反射)角范圍 45-90° 45-90°
          入射(反射)角驅(qū)動(dòng)方式 自動(dòng)正弦桿驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)
          光斑直徑*2 φ2.0 φ1.2 sup * 3
          tan ψ 測量精度 ± 0.01 或更小
          cosΔ測量精度 ± 0.01 或更小
          可重復(fù)的薄膜厚度 0.01%以下*4
          波長范圍*5 300-800nm 300-800nm
          測量用光源 高穩(wěn)定性氙燈*6
          舞臺(tái)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng) 手動(dòng)的 手動(dòng)自動(dòng)
          裝載機(jī)兼容 不可能的 可能的
          尺寸、重量 650 (W) x 400 (D) x 593 (H) 毫米
          50kg
          1300(寬)×890(深)×1750(高)mm
          350kg * 7

          * 1 可驅(qū)動(dòng)分離器,可裝卸對(duì)死區(qū)有效的相位差板。
          * 2 因短軸和角度而異。
          * 3 與微小斑點(diǎn)兼容(選項(xiàng))
          * 4 使用 VLSI 標(biāo)準(zhǔn) SiO2 薄膜(100 nm)時(shí)的值。
          * 5 這是選擇自動(dòng)階段時(shí)的值。

          測量示例

          使用傾斜模型對(duì) ITO 進(jìn)行結(jié)構(gòu)分析

          ITO(氧化銦錫)是用于液晶顯示器的透明電極材料,由于成膜后的退火處理(熱處理),其導(dǎo)電性和顏色得到改善。此時(shí),氧態(tài)和結(jié)晶度也發(fā)生變化,但這種變化可能相對(duì)于薄膜的厚度呈階梯式變化,不能視為具有光學(xué)均勻組成的單層薄膜。
          對(duì)于這種 ITO,我們將介紹一個(gè)使用傾斜模型從上界面和下界面的 nk 測量傾斜度的示例。

          使用傾斜模型的 ITO 結(jié)構(gòu)分析 [FE-0006]

          使用傾斜模型的 ITO 結(jié)構(gòu)分析 [FE-0006]

           

          考慮表面粗糙度的膜厚值測量

          如果樣品表面有粗糙度,將表面粗糙度建模為“粗糙層”,其中大氣(空氣)和膜厚材料以 1:1 的比例混合,并分析粗糙度和膜厚。 . 在這里,我們描述了一個(gè)測量表面粗糙度為幾納米的 SiN(氮化硅)的例子。

          考慮表面粗糙度的膜厚值測量 [FE-0008]

          考慮表面粗糙度的膜厚值測量 [FE-0008]

           

          使用非干涉層模型測量密封的 OLED 材料

          有機(jī)EL材料易受氧氣和水分的影響,在正常大氣下可能會(huì)發(fā)生改變或損壞。因此,成膜后立即用玻璃密封。以下是在密封時(shí)通過玻璃測量薄膜厚度的示例。中間的玻璃和空氣層采用非干涉層模型。

          使用非干涉層模型 [FE-0011] 測量密封有機(jī) EL 材料

          使用非干涉層模型 [FE-0011] 測量密封有機(jī) EL 材料

           

          使用多點(diǎn)分析法測量 nk 未知超薄膜

          材料nk需要通過*小二乘法擬合來分析膜厚值(d)。如果 nk 未知,則將 d 和 nk 都解析為可變參數(shù)。然而,在d為100nm以下的超薄膜的情況下,d和nk不能分離,這可能會(huì)降低精度并且無法獲得準(zhǔn)確的d。在這種情況下,測量具有不同d的多個(gè)樣品,并且假設(shè)nk相同,進(jìn)行同時(shí)分析(多點(diǎn)分析)。這使得可以準(zhǔn)確地獲得nk和d。

          在多個(gè)點(diǎn)使用相同的分析測量 nk 未知超薄膜 [FE-0014]

          在多個(gè)點(diǎn)使用相同的分析測量 nk 未知超薄膜 [FE-0014]


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