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點(diǎn)光源曝光
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變壓型電源供應(yīng)器
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超高壓短弧汞燈
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UV光洗凈
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UV曝光裝置
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uv固化裝置
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紫外可見光光度計(jì)
分光干渉式晶圓膜厚儀 SF-3
即時(shí)檢測(cè)
WAFER基板于研磨制程中的膜厚
玻璃基板于減薄制程中的厚度變化
(強(qiáng)酸環(huán)境中)
產(chǎn)品特色
非接觸式、非破壞性光學(xué)式膜厚檢測(cè)
采用分光干涉法實(shí)現(xiàn)高度檢測(cè)再現(xiàn)性
可進(jìn)行高速的即時(shí)研磨檢測(cè)
可穿越保護(hù)膜、觀景窗等中間層的檢測(cè)
可對(duì)應(yīng)長(zhǎng)工作距離、且容易安裝于產(chǎn)線或者設(shè)備中
體積小、省空間、設(shè)備安裝簡(jiǎn)易
可對(duì)應(yīng)線上檢測(cè)的外部信號(hào)觸發(fā)需求
采用*適合膜厚檢測(cè)的獨(dú)自解析演算法。(已取得**)
可自動(dòng)進(jìn)行膜厚分布制圖(選配項(xiàng)目)
規(guī)格式樣
|
|
SF-3 |
|---|---|
|
膜厚測(cè)量范圍 |
0.1 μm ~ 1600 μm※1 |
|
膜厚精度 |
±0.1% 以下 |
|
重復(fù)精度 |
0.001% 以下 |
|
測(cè)量時(shí)間 |
10msec 以下 |
|
測(cè)量光源 |
半導(dǎo)體光源 |
|
測(cè)量口徑 |
Φ27μm※2 |
|
WD |
3 mm ~ 200 mm |
|
測(cè)量時(shí)間 |
10msec 以下 |
※1 隨光譜儀種類不同,厚度測(cè)量范圍不同
※2 *小Φ6μm
2.如有必要,請(qǐng)您留下您的詳細(xì)聯(lián)系方式!
