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產品名稱：OTSUKA大冢-膜厚監視器FE-300
產品型號：FE-300
產品廠商：OTSUKA大塚電子
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簡單介紹：

FE-300 OTSUKA大冢-膜厚監視器是一種通過簡單操作實現高精度光干涉法的膜厚測量的小型低價格的膜厚計。采用將必要的機器收納在機身部位的一體化體型外殼，實現了穩定的數據的獲取通過獲取低價位的優良反射率，也可以進行光學常數的分析。OTSUKA大冢-膜厚監視器FE-300OTSUKA大冢-膜厚監視器FE-300

詳情介紹：

FE-300

OTSUKA大冢-膜厚監視器

是一種通過簡單操作實現高精度光干涉法的膜厚測量的小型低價格的膜厚計。
采用將必要的機器收納在機身部位的一體化體型外殼，實現了穩定的數據的獲取
通過獲取低價位的優良反射率，也可以進行光學常數的分析。

OTSUKA大冢-膜厚監視器FE-300OTSUKA大冢-膜厚監視器FE-300OTSUKA大冢-膜厚監視器FE-300OTSUKA大冢-膜厚監視器FE-300OTSUKA大冢-膜厚監視器FE-300

特長。
支持從薄膜到厚膜的廣泛膜厚。
使用反射光譜的膜厚分析。
緊湊、低價位，但不接觸、非破壞，實現高精度測量。
條件設定和測量操作簡單！任何人都可以輕松進行膜厚測量。
通過非線性*小二乘法、優化法、PV法、FFT分析法等可進行廣泛種類的膜厚測量。
非線性*小二乘法的膜厚分析算法使光學常數分析(n:折射率，k:衰退計數)成為可能。

測量項目。
優良的反射率測量。
膜厚分析(10層)。
光學常數分析(n:折射率，k:衰退計數)。

用途。
功能性薄膜、塑料。
透明導電膜(ITO、銀納米線)、相差膜、偏振膜、AR膜、PET、PEN、TAC、PP、PC、PE、PVA、粘合劑、保護膜、外殼。防指紋劑。
半導體。
化合物半導體、Si、氧化膜、氮化膜、Resist、SiC、GaAs、GaN、InP、InGaAs、SOI、Sapphire等。
表面的處理。
DLC涂層、防銹劑、防陰劑等。
光學材料。
過濾器、AR外套等。
FPD。
LCD(CF、ITO、LC、PI)、OLED(有機膜、密封劑，等等)。
其他。
硬盤、磁帶、建材等

仕　様

型式	FE-300V	FE-300UV	FE-300NIR^*1
全體	標準測定タイプ	薄膜測定タイプ	厚膜測定タイプ	厚膜測定タイプ（高分解能）
サンプルサイズ	*大8インチウェハ（厚さ5mm）
測定膜厚範囲 (nd)	100nm～40μm	10nm～20μm	3μm～300μm	15μm～1.5mm
測定波長範囲	450nm～780nm	300nm～800nm	900nm～1600nm	1470nm～1600nm
膜厚精度	±0.2nm以內^*2	±0.2nm以內^*2	-	-
繰り返し精度	0.1nm以內^*3	0.1nm以內^*3	-	-
測定時間	0.1s～10s以內
スポット徑	約φ3mm
光源	ハロゲン	重水素とハロゲンの混合	ハロゲン	ハロゲン
インターフェイス	USB
寸法、重量	<280（W)×570（D)×350（H）mm、約24kg
ソフトウェア
標準	ピークバレイ解析、FFT解析、適化法解析、小二乗法解析
オプション	材料評価ソフトウェア、ポスト解析ソフトウェア、膜モデル解析、リファレンスプレート

*1 詳細はお問合せください
*2 VLSI社製膜厚スタンダード（100nm SiO2/Si）の膜厚保証書記載の測定保証値範囲に対して
*3 VLSI社製膜厚スタンダード（100nm SiO2/Si）の同一ポイント繰り返し測定時における拡張不確かさ（包括係數 2.1）

測定原理

大塚電子では、光干渉法と自社製高精度分光光度計により、非接觸?非破壊かつ高速高精度な膜厚測定を可能にしています。光干渉法は、図2のような分光光度計を利用した光學系によって得られた反射率を用いて光學的膜厚を求める方法です。図1のように金屬基板上にコーティングされた膜を例にとると、対象サンプル上方から入射した光は膜の表面で反射します（R1）。さらに膜を透過した光が基板（金屬）や膜界面で反射します（R2）。このときの光路差による位相のずれによって起こる光干渉現象を測定し、得られた反射スペクトルと屈折率から膜厚を演算する方法を光干渉法と呼びます。解析手法は、ピークバレイ法、周波數解析法、非線形*小二乗法、*適化法の4種類があります。

膜厚測定原理図

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產品名稱：OTSUKA大冢-膜厚監視器FE-300