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主要特長 能夠進行節拍時間約20秒(標準規格機，對位容許值設定為0.5μm時。不含曝光時間。)的高速曝光處理。 利用直讀式間隙傳感器與獨自的控制系統,能夠高速度和高精度地設定掩膜與基板間的近接間隙 。 可配置嚴格控制處理部位溫度環境的溫控機房。為了防止因熱而引起的基板伸縮,還可選用基板臺溫度調控系統。 可選擇配置基板臺溫度控制系統及掩膜冷卻系統，以防止掩膜及玻璃基板因溫度差而引起的伸縮。(
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主要特長 能夠進行節拍時間約20秒(標準規格機，對位容許值設定為0.5μm時。不含曝光時間。)的高速曝光處理。 利用直讀式間隙傳感器與獨自的控制系統,能夠高速度和高精度地設定掩膜與基板間的近接間隙 。 可配置嚴格控制處理部位溫度環境的溫控機房。為了防止因熱而引起的基板伸縮,還可選用基板臺溫度調控系統。 可選擇配置基板臺溫度控制系統及掩膜冷卻系統，以防止掩膜及玻璃基板因溫度差而引起的伸縮。(
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主要特長 能夠進行節拍時間約20秒(標準規格機，對位容許值設定為0.5μm時。不含曝光時間。)的高速曝光處理。 利用直讀式間隙傳感器與獨自的控制系統,能夠高速度和高精度地設定掩膜與基板間的近接間隙 。 可配置嚴格控制處理部位溫度環境的溫控機房。為了防止因熱而引起的基板伸縮,還可選用基板臺溫度調控系統。 可選擇配置基板臺溫度控制系統及掩膜冷卻系統，以防止掩膜及玻璃基板因溫度差而引起的伸縮。(選購項) 能夠裝載存放5張掩膜的掩膜存放庫
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非常適用于實驗?研發之用途。 緊湊型設計(600×600mm)，可在桌面上安裝使用。 搭載UV LED爆光燈房標準（有效曝光范圍φ4″）。 接觸式曝光模式（可支持其他的曝光模式，為選購項）。 完全手動操作，價格公道合理。
