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        簡單介紹:
        PD-330STC 是一種用于形成絕緣膜的等離子 CVD 設(shè)備,專為 TSV(Si 通孔)開發(fā)。
        詳情介紹:

        概述

        PD-330STC 是一種用于形成絕緣膜的等離子 CVD 設(shè)備,專為 TSV(Si 通孔)開發(fā)。 大面積基板兼容機,將久經(jīng)考驗的 PD-270ST 系列改造為 ±300mm 硅晶圓,可在低溫下以液體源 TEOS 為原料,形成高質(zhì)量的 SiO+ 膜。 采用專有的陰極耦合方法,在三維LSI的TSV形成過程中,可以在高縱橫比的通孔側(cè)壁上形成具有優(yōu)異的覆蓋性的TEOS-SiO+膜。

        特點

        ±300mm 晶圓的薄膜形成
        可實現(xiàn)良好的平面內(nèi)均勻性和出色的穩(wěn)定性。

        采用高速成膜和應(yīng)力控制
        開創(chuàng)的陰極耦合法,可實現(xiàn)高速(100nm/min以上)和低應(yīng)力成膜。

        低溫成膜
        可在80°C~的低溫成膜,也可以在塑料上成膜。

        LSCVD® 方法使用 TEOS 的沉積
        液體源,具有出色的步進覆蓋和嵌入特性。

        應(yīng)用示例

        TSV側(cè)壁絕緣膜形成
        三維LSI的貫通通孔形成工藝中的側(cè)壁的絕緣膜形成

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